Hersteller-Teilenummer. : | FD6M033N06 |
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RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Zustand des Lagers : | 5618 pcs Stock |
Beschreibung : | MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15 |
Liefern von : | Hongkong |
Datenblätte : | FD6M033N06.pdf |
Versandweg : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Teil-Nr. | FD6M033N06 |
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Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15 |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 5618 pcs |
Datenblätte | FD6M033N06.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | EPM15 |
Serie | Power-SPM™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 40A, 10V |
Leistung - max | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | EPM15 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6010pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 129nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 73A Through Hole EPM15 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 73A |
MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
IGBT MODULE VCES 600V 600A
vorrätigIGBT MODULE VCES 600V 600A
vorrätigMOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15
IGBT MODULE 1200V 600A
vorrätigIGBT MODULE VCES 600V 600A
vorrätigIGBT MODULE VCES 600V 600A
vorrätigMODULE IGBT PRIME2-1
vorrätig